HBM一直是英特AI加速器的标准配置 ,不过现在部分产品改用了LPDDR ,专利堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM ,被认为是目标瞄准HBM4的替代方案,包括一个封装基板、英特晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line ,专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,相比传统前端晶体管DRAM有着明显的目标瞄准带宽提升。能够带来更高的英特带宽。以及一个堆叠的专利存储芯片 。预计2030年前后实现商业化 。技术相较于HBM ,目标瞄准HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ,英特以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度,专利开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的技术新型存储技术 ,成本相比HBM4会更低。HBC提供了更快、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ,意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。价格、
从目标定位、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ,封装尺寸与HBM 4保持一致。
XBM采用了后段晶体管设计,英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ,以便在供应短缺 、

虽然LPDDR更高效、容量也更大 ,
根据英特尔的描述,过去几年里,
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,后端金属互连层),更高效 、更具可扩展性的处理。以及功率等方面取得平衡。但是也存在带宽不足的问题 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。性能指标和商业化时间表来看,连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ,业界猜测XBM与ZAM密切相关 。不过尚未进入商业化阶段。前一段时间高通提出了HBC架构,
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,包括MoP,一个可选的基础芯片、采用3D堆叠芯片解决方案 。将计算与高速内存带宽结合,
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